溅射淀积内部金属堆叠：铅或TMS320DM6467ZUT7锡焊料球是首选凸点材料。然而，在大部分集成电路中的最后金属层是铝，它有容易被氧化成绝缘的氧化铝的缺点。将铝和凸球电连接要求一个凸点F-金属化( UBM)金属叠层（又称栓塞）j7。金属叠层还必须键合到通孑L的各面，基本封住下面集成电路压点来防止污染。UBM工艺以通过溅射刻蚀或湿法化学处理去除氧化铝层为起点。

   典型的金属堆叠有4层：

   ·对于“湿”硅的增黏层( Ti/Cr/AI)

   ·扩散阻挡层，以防无用的金属扩散进集成电路从而引起污染(Cr: Cu)

   ·助焊层( Cu/Ni: V)

   ·氧化阻挡层，以防与凸点金属( Au)产生机械或电连接