减薄的工序通常介于晶片分拣和划片工序之间。晶圆被减薄到100 ht,m左右的厚度1，TMS320DM6437ZWT6此处使用在晶圆制备阶段研磨晶圆时用的相同工艺（机械研磨和化学机械抛光），芯片倒装焊封装也要求晶圆减薄。

   晶圆减薄是个令人头疼的工序。在背面研磨时，可能会划伤晶片的正面和导致晶片破碎。、由于晶圆要被压紧到研磨机表面或抛光平面上，晶圆的正面一定要被保护起来，晶圆一日被磨薄就变得易碎。在背面刻蚀中，同样要求将晶圆正面保护起来防止刻蚀剂的侵蚀。这种保护可以通过在晶圆正面涂一层较厚的光刻胶来实现。其他方法包括在晶圆正面黏一层与晶圆大小尺寸相同的，背面有胶的聚合膜。必须控制在研磨一抛光工艺中产生的应力以防止晶圆或芯片在应力下的弯曲变形。晶圆的弯曲变形会影响划片工序（芯片破碎和裂痕）。芯片的变形会在封装工序产生问题。

   背面镀金：晶圆制造中的另一个可选的工序是在晶圆背面镀金。对计划用共晶焊技术（见18.4.5节）将芯片黏结到封装体中的晶圆上，其背面需要镀金层。此镀金层通常在晶圆造厂以蒸发或溅射的工艺来完成（在背面研磨后）。