金属有机物CVD( MOCVD)是化合物CVD中较新的选择之一。VPE是化合物淀积系统，GLP-401而MOCVD是指用于VPE和其他系统中的源。在MOCVD工艺中，淀积期望的原子和复杂的有机气体分子结合，并通过一个被加热的半导体晶圆。被加热的分子破裂，将期望的原子一层一层地淀积在表面上。，它能生长高质量的半导体层（薄至lmm的百万分之一），这些层的晶体结构与衬底可以完美对齐16。12. 26   M()CVD泵统(源自 : S. K. Chandhi, V/,_S/ Fabrication. Prin,ciple., Wilev-Intersr-ienc-e,1994)

使用两种化学物质：卤化物和金属有机物。上面描述的在VPE中砷化镓的淀积就是一种卤化物工艺。热区形成Ill族卤化物（镓），冷区淀积III~V族化合物。在砷化镓的金属有机物阿工艺中，(CH，)，Ga与砷进入反应室反应，形成砷化镓，反应式为

   (CH3)3Ga+AsH3—}GaAs+3CH4

   虽然MBE工艺较为缓慢，但MOCVD工艺能够满足批量生产的需要，且适合较大的衬底1引。MOCVD还具有制造化学成分不同的多层膜的能力。此外，与MBE不同，MOCVD可以在如InGaAsP这样的器件中淀积磷。采用MOCVD工艺制造的常规器件有光电阴极、高频发光二极管、长波激光、可见激光和橘红色发光二极管（见第16章）。

   广义地讲，MOCVD指半导体膜的金属有机物化学气相淀积。当在气相外延系统生长外延层时，使用金属有机源，则称其为MOVPE㈣。应用包括III-V族半导体层的金属有机物化学气相淀积，对于基础研究和器件应用，包括GaAs、AIAs、AIGaAs，InGaAs和InP，另外还有JII-V族半导体层的△形掺杂、量子点的生长、量子线、量子阱、掺杂调制异质结和选择区域外延生长201。