铝还会遭遇所谓电迁徙( electromigration)的问题。，在VLSI/ULSI电路中，HIP1011CB铝导线比较细长，而且经常承载很高的电流，这时就会发生问题。电流在导线内部产生一个电场，并且电场强度从输入端到输出端逐渐减弱。同时，电沆所产生的热也产生一个热梯度。在它们的作用下，导线内部的铝就会运动并沿着两个梯度的方向扩散。这样最直接的影响就是使导线变细，、在极端的情况下，导线甚至会完全断开。遗憾的是，这种情况经常在集成电路的使用后发生，从而引起芯片失效。不过，通过淀积含铜0.50/0～4%的铝铜合金‘3j或含钛0.1010~0.5%的铝钛合金，就可以防止或减轻电迁移现象。在实际的应用中，人们经常使用既含有铜又含有硅的铝合金以防止合金化问题和电迁移问题。

   在早期铝合金是通过蒸发系统中放置分离的源进行淀积的。这样导致增加了淀积设备和艺的复杂性。同时，与纯铝相比，它也增加了薄膜的电阻率。增加的幅度因合金成分和热处理L艺的不同而异，通常多达25%—300/c 41.

   阻挡层金属

   使用阻挡层是一种防止硅和铝金属化共晶合金的方法。使用钛钨( TiW)和氮化钛(TiN)两层在铝或铝合金淀积之前，将TiW溅射淀积在晶圆开口的接触孔上。在铝刻蚀步骤中，淀积在场氧化层上的TiW被从表面去除。有时，在TiW淀积之前，在暴露的硅上面形成第一层硅化铂。

   可以用所有的淀积技术将氮化钛层放置在晶圆表面，如蒸发、溅射和CVD。还能用在氮气或氨气中，在600℃形成钛的热氮化层。5。CVD氮化钛层良好的台阶覆盖，并能填充亚微米接触孑L。茌TiN膜下要求有一层钛，目的是和硅衬底之间提供一个高的电导率中间层、

   用铜金属化时，阻挡层也是关键。在硅中的铜会毁坏器件的性能。使用的阻挡层金属是TiN、钽(Ta)和氮化钽(TaN)。6；。