非常薄的MOS栅极氧化生长是高压氧化工艺的候选。薄氧化层必须要结构完整（没有孔等）。 OP179GRT足够强的电介质可以防止在栅区的电荷积累。在高压氧化中生成的栅极比在常压时生成的栅极绝缘性强24、．高压氧化1：艺也呵以解决在局部氧化中( LOCOS)产生的“鸟嘴”问题，见16.4.1节里的局部氧化隔离丁艺。图7.26解释了在MOS器件中不希望出现的“鸟嘴”长入了有源区。、高压氧化可以将“鸟嘴”侵蚀进器件的区域减到最小，并在LOCOS工艺中使场氧化层最薄25，、

   另外对于氧化来讲，高压系统也可以应用于CVD外延沉积和晶圆表面的回流玻璃层这些领域中26；，这两种工艺如果在低温下形成，会得到很好的质量。

   鸟嘴的生长。(a)无预刻蚀；(b)looo A预刻蚀；(C)2000 A预刻蚀（源白Ghandhi，VLSI Fabrir:ation, Prin,ciple．s）