双极型和CMOS晶体管与它们各自电路的优点汇集在Bi-MOS（或Bi-CMOS）电路中。 OL25TAD108图16. 46所示的电路是和存储器相关的双极型、P沟道型和N沟道型晶体管（见第17章）。CMOS低功耗的特点被用在逻辑电路和存储器电路中，双极型电路速度高的特性则被用在信号电路中挖。这些电路体现了对工艺的极大挑战：更大的芯片尺寸，更小的器件尺寸和大量的工艺步骤。

   绝缘体上硅隔离

   绝缘体上硅( SOI)技术是在形成CMOS和Bi-CMOS时，在绝缘衬底上淀积一层薄EPI外延层（见第12章）。消除电导性衬底可以将漏电流问题和闩锁效应问题最小化13J.

   片上系统

   创新通常是由新的需要驱动的。一种现行的半导体电路将自己进化到手持式无线器件爆发，例如，移动电话、智能电话和平板电脑，它们被称为片上系统( System on a Chip，SoC)。这些器件是真正的计算机，并要求如此多功能却只占据很小的空间。这些器件包括处理器、图像接口、数据管理、无线连接性、存储器等。幸运的是，微芯片制造工艺酌进步允许这些“百万”级芯片被制造出来。

   减少空间的要求也已涉及到封装层次。单芯片能被封装的略比芯片本身大一点。新的三维封装方法致力于将多个芯片封装在一个封装体内（见第18章）。