第4章论及了半导体器件对污染的极端敏感性。当一个半导体厂把主要精力放在控制及消除污染时，K4D553235F-GC33技术并不总是百分之百有效的。二氧化硅层在防止硅器件被污染方面起，重要作用。

   二氧化硅在以下两个方面起重要作用：一是保护器件的表面及内部。在表面形成的二氧化硅密度非常高（无孔），非常硬。因此二氧化硅层（见图7.1）起污染阻挡层的作用，它可以阻挡环境中脏物质侵入敏感的晶圆表面、．同时，它的硬度可防止晶圆表面在制造过程中被划伤及增强晶圆在生产流程过程中的耐用性。

   另一方面，二氧化硅对器件的保护是源于其化学特性的。不管工艺过程多么洁净，总有一些电特性活跃的污染物（移动的离子污染）最终会进入或落在晶圆表面，，在氧化过程中，硅的最卜一一层成为二氧化硅，污染在表面形成新的氧化层，远离电子活性表面。其他污染物被禁锢在二氧化硅膜中，在那里对器件而言伤害是很小的。在早期的MOS器件丁艺中，通常在晶圆氧化后和在进行下一步工艺之前，要去除氧化物以去掉表面那些不需要的移动离子污染物。