区熔法晶体生长是早期发展起来的几种，仍然在特殊需要中使用6；1。 MC9S12DJ128VFU直拉法的一个缺点是坩埚中的氧进入到晶体中，对于有些器件，高浓度的氧是不能接受的。对于这些特殊情况，晶体必须用区熔法技术来生长以获得低氧含量晶体。

   区熔法晶体生长（参见图3. 13）需要一根多晶棒和浇铸在模子里的掺杂物。籽晶融合到棒的一端。夹持器装在单晶炉里。当高频线圈加热多晶棒和籽晶的界面时，多晶到单晶的转变开始了。线圈沿着多晶棒的轴移动，一点点把多晶棒加热到液相点。在每一个熔化的区域，原子排列成末端籽晶的方向。这样整个棒以开始籽晶的定向转变成一个单晶。

   图3. 13  区熔法晶体生长系统

   区熔法晶体生长不能像直拉法那样生长大直径的单晶，并且晶体有较高的位错密度，但不需用石英坩埚便会生长出低氧含量的高纯晶体。低氧晶体呵以使用在高功率的晶闸管和整流器上。这两种方法的比较如图3. 14所示。