隔离问题，特别是对于CMOS结构来说，就是闩锁效应(latch up)。图16. 43是芯片部分的横截面图。NUD4001DR2G并排的MOS晶体管组成横向的双极型晶体管(NPN)。在电路工作过程中，双极型晶体管扮演一个放大器的角色，但这不是我们希望看到的，它可以把输出增大到使存储器单元不能切换的状态。这就是闩锁效应。在这种状况下，元器件对它的信息不能做出反应。避免闩锁效应的一个办法就是低电阻率的EPI外延层，这个外延层可以避开双极型晶体

管的发射极从而使其不能“开”，从而达到防止闩锁效应的目的。

   局部氧化隔离涉及闩锁效应。另一个解决办法是用埋层来有效破坏横向双极型晶体管的加固良好的设计.