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注入阱和传统的阱

发布时间:2015/11/13 21:33:11 访问次数:1735

    通过扩散形成深阱技术要求大的热预算，而这些NUD4011DR2G热会加剧产生横向扩散问题和应力问题。现在，离子注入阱十分普及。另外，NUD4011DR2G用离子注入，可以控制阱在垂直方向上的掺杂，从而使晶片性能达到最优化。所谓倒掺杂阱( retrograde well)是由一些高能离子的离子注入( MeV)形成的，可使阱的最下方有更高的掺杂浓度。与传统的阱（见图16. 45）形成方法相比，离子注入阱的另一个优点是工艺步骤较少。另外，因为N阱和P阱是在同一个晶圆表面形成的，所以就可以省去平坦化这个步骤。在传统的阱工艺中，晶片的表面是不平的，所以会造成景深的问题。

      

   

    通过扩散形成深阱技术要求大的热预算，而这些NUD4011DR2G热会加剧产生横向扩散问题和应力问题。现在，离子注入阱十分普及。另外，NUD4011DR2G用离子注入，可以控制阱在垂直方向上的掺杂，从而使晶片性能达到最优化。所谓倒掺杂阱( retrograde well)是由一些高能离子的离子注入( MeV)形成的，可使阱的最下方有更高的掺杂浓度。与传统的阱（见图16. 45）形成方法相比，离子注入阱的另一个优点是工艺步骤较少。另外，因为N阱和P阱是在同一个晶圆表面形成的，所以就可以省去平坦化这个步骤。在传统的阱工艺中，晶片的表面是不平的，所以会造成景深的问题。

      

   

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