掺杂二极管：二极管是指被结分开而形成两个区域的器件。二极管既可以使电流通过也可以起到阻止电流流动的作用。二极管的功能由电压的极性来决定，NJ1030U8这称为偏置( biasing)（见图16. 10）。当电压方向与二极管区域一致时，二极管处于正向偏置状态，此时电流易通过二极管。当极性相反时，二极管处于反向偏置，电流被阻止而不能通过二极管，如果不断增加电压，达到二极管的击穿电压( breakdown)后，反向二极管也可以导通电流。但这种情况是暂时的，当电流减小时，二极管又恢复了原来的反向阻止电流流动的功能（见第14章）。二极管在电路中起到掌握电流流动方向的作用。通过正确地选择电流的极性和二极管的极性，可以允许电流通过一些支路，也可以阻止电流通过另一些支路。平面二极管就是一个掺杂区，结的两边有两个接触区（见图16. 11）。二极管通常是在晶体管掺杂步骤形成的。困而在双极型电路中通常都有一个基极集电极二极管和一个发射极一基极二极管。在MOS电路中，大部分二极管都是在源一漏掺杂步骤中形成的。

   肖特基势垒( Schottky barrier)二极管：1938年（晶体管诞生的前十年），W. Schottky[4]发现金属只要和轻掺杂的半导体接触，就会形成二极管（见图16. 12）。这种二极管有更快的正向时间（它的反应速度更快），而且与掺杂硅的二极管相比，它有更低的工作电压。金属与高掺杂区（每立方厘米有5×l017个原子）的接触就是通常的“欧姆接触”。硅电路中大部分接触都是这种情况。一些NPN双极型电路就利用了Schottky二极管效应。这种结构和效应会在双极型晶体管部分介绍。