堆叠电容器：另一种节NJ1030AUS省晶圆表面面积的方法是在晶圆表面形成“堆叠电容器”( stacked capacitor)。动态随机存储器( DRAM)对于小的高介电质的要求促进了这项技术的发展，它的每个单元的存储部分都是一个电容器。在动态随机存储器( DRAM)单元内，下端的电极通常是多晶硅或半球形晶粒多晶硅( HSG)。电容器可以是平面状、圆筒状或鱼鳍状引。

   一个典型的结构如图16.9所示。电容器的介质材料通常会考虑用Taz Os和BaSrTi03（或称BST）。后者是铁电( ferroelectric)村料。31。铁电材料指的是含铁的物质，在电子学领域它与传统的硅匹配的材料相比，有更高速度的介电质。另一种铁电材料是PbZ．03或PZT。

   上端的电极材料可以是TiN，WN．Pt，多晶硅或其他半导体材料中的一种。