工厂设施成本及设施维护费用是成本的主要部分。制造区域仅占全部厂区面积的20%，SGH23N60UFDTU却是费用开销的主体。空调、化学品存放和发放，以及净化间的成本都属于主要的开销。用于ULSI厂区的净化间的成本相当于每平方英尺数千美元。地板开销是选择洁净策略的重要因素（见第4章）。一个完全净化间的布局要比一个混合／迷你型( mini)的环境方式更昂贵。但对后者来说，设备的开销会更多。

   许多半导体公司维护它们拥有的晶圆制造设施并享受控制从设计到封装全部运营的利益。它们被称为集成器件制造商(IDM)。但是成本较高和内部的厂房经常闲置，因此推高了整个制造成本。高厂房成本产生的两个结果是无制造厂半导体公司( fabless semiconductorcompany)和商业代工厂(merchant foundry)。无制造厂半导体公司进行电路设计，并与实际进行晶圆制造加工的商业代工厂签订合同。封装可能在代工厂做，而晶圆／芯片可能转移到商业封装企业来完成这个阶段。

   生产用材料分为直接材料和间接材料。直接材料是指那些直接进入到芯片中或加在芯片上的材料，包括晶圆材料、形成淀积层和掺杂层需要的材料以及化学品和封装材料等。间接材料包括掩模版和放大掩模版、化学品、文具供应，以及其他支持工艺但进入到产品中的材料。

   这部分成奉来自于直接用于器件及晶圆制造的设备。在成本计算中以固定的一般管理费

用或折旧的形式出现。折旧是机器由于磨损或变得过时而造成的价值损失。

   转到300 mm晶圆和现在450 mm晶圆已经遇到了设备成本的突然增加。在转变阶段，300 mm的工艺基本上与200 mm的工艺相同。这意味着除了尺寸不同外工艺设备相同。然而，更大的晶圆一般要求更长的传输时间和更长的加工时间，导致生产率损失。这些损失等同于更多的设备以维持生产配额和更多的费用。图15.3比较了对于两种直径主要工艺设备的生产率。300 mm的新工艺对在线测量和监测的需求更大。更大直径带来的负面影响是如果晶圆被错误加工或良品率较低，则损失更大。现在，300 mm工艺正在继续用铜金属化，它带着表面因素和新的低后介质材料进入图像。如果整个系统工作在工艺最终端，监测和控制工艺设备这些步骤的每一步都是至关重要的。关键尺寸测量和电子束缺陷检查系统已成为工艺内的要求，并增加到设备成本中。