由于低压化学气相淀积( IPCVD)具有诸多优点，因此为金属淀积提供r第i种选择LPCVD有许多优点，AD8055ARTZ-R2它不但不需要造价昂贵、维护复杂的高真空泵，而且提供了共形台阶覆盖和高的生产效率，，最常用CVD淀积的难熔金属膜是钨(W)。

   钨可以用于各种元件构造，包括接触阻挡层、MOS管的栅极互连和通孔塞。通孔填充是形成有效的多金属层系统的关键。绝缘层比较厚，而通孔相对细一些（深宽比大）。这两个因素有助于较难的连续金属淀积通孔，而且不会使通孔中的金属变细。选择CVD淀积钨塞来填充整个通孔，而且为接下来的导电金属层淀积提供了平整表面。钨作为阻挡层金属，宦的淀积可以通过硅与六氟化钨( WF6)气体进行反应。其反应式为

   2WF6 +3S1—+  2W+3SiF、4

   钨还可以通过WFf,有选择地反应淀积在铝和其他材料上，该工艺称为衬底缩减(substratrreduCition)．钨可以通过WFf和H：牛成，其反应式为

   WF6 +3H2-+W +6HF

   以上所有淀积都是在LPCVD系统中进行，温度大约为300℃。这可以与铝金属化工艺相兼容：，

   硅化钨和硅化钛层的Ij艺反应式为

   WF6 +2S1H4—~WSl_ +6HF+H2

   T1CI4+2SiH4 -*TiSi.+4HCI+2H.