薄膜的电流特性显示出晶核的尺寸和边界一致性的重要性。当电流流经核边界时，形成电流阻力。 HCPL-0900核边界越大，电阻越大。要获取器件之间及器件内部持续的电流，需要对多晶硅结构给予良好的控制。为此，在气体流中加入H：，其好处之一是降低了晶圆表面的不纯度和潮湿。随之，导致成核尺寸的减小。在系统中，潮气和不纯净的氧气会引起结构内部二氧化硅的生长，而二氧化硅增加了薄膜的电阻和在后续的掩膜工艺中的刻蚀能力。

   所有的系统常规工作参数（温度、硅烷浓度、抽真空速率、氮气流量或其他气体流量|2“）都会影响淀积率和成核尺寸。通常，晶圆在600℃左右淀积后进退火，进一步形成对薄膜的晶体化。无论什么时候，当晶圆通过高温工艺，都会产生再晶体化过程。因此，在完整的器件或电路上的多晶硅薄膜的成核尺寸和电参数与淀积时的薄膜是完全不同的。

   同样，气体中的掺杂物也是影响成核大小的因素。在许多器件或电路中，起着导体作用的带状多晶硅，需要采取掺杂的方式减小电阻率。掺杂可采取扩散的方式，在淀积的前后或注入I：艺时进行.