离子注入可以成为任何淀积的替代工艺。AD7548JR它有更好  图11. 39离子剂量的等高线图的可控性且没有侧向扩散，使它成为高密度、小特征尺寸电路的首选掺杂丁艺。CMOS器件中的预淀积应用就是高能离子注入形成深P型阱（见第16章）、倒掺杂阱( retrograde well)的首创。

   一个特别的挑战是超浅结。这些结在Ⅱ125 nm范围。当器件不断按比例缩小，结的尺寸也变小了。这反过来导致更低能量的离子注入工艺，以减小表面损伤和沟道效应。这导致r代替BF，而使用纯硼注入，前者含有腐蚀性的氟。所以一些要求都被新一代离子注入机所满足，它们可提供可以接受的低能量时的高剂量束流。

   离子注入的一个主要应用是MOS栅阈值电压的调整（见图11. 40）。一个MOS晶体管由三部分组成：源、漏和栅。工作时，源和漏之间加电压。然而，在栅极如电之前，二者之间无电流。当栅极加电压后，表面形成导电沟道，并连通源、漏极。形成初导电沟道时所需的栅电压成为该器件的阈值电压。该阈值电压对于栅下的晶圆表面杂质浓度非常敏感。离子注入被用于形成栅区所需的杂质浓度。并且，在MOS技术中，离子注入被用来改变场区的杂质浓度。然而在这种应用中，目的是为了设定一定级别的浓度，以防止相邻器件间的电流。在此应用中，注入层是隔离方案的一部分。

   在双极技术中，离子注入被用来形成各种晶体管部件。离子注入提供的可自定义的杂质剖面可以提高器件性能。一个特别的应用是砷的埋层。当埋层用扩散形成时，高浓度的砷离子影响下一步表面外延层的质量。通过使用砷离子注入，使高浓度砷成为可能，热退火可以修复损伤，可以进行高质量外延层的淀积。

   离子注入适合MOS和双极电路中的电阻形成。扩散电阻的均匀性在5%~10%间变化，而离子注入电阻的变化仅为1%或更好，图11. 41是一个离子注入掺杂典型的应用表。