对离子注入晶圆的评估基本同扩散层的评估一样。采用四探针测试仪测试该层的方块电阻。 AD7548JP扩散电阻技术和电容一电压技术决定剖面浓度、剂量和结深。结深也可以由斜角染色法来决定．，这些方式将在第14章介绍。

   对于注入层，一种称为范德堡( Van Der Pauw)结构的特殊结构有时用来替代四探针测试仪（见图11. 37）。这种结构允许决走方块电阻而没有四探针的接触电阻问题。注入后的晶圆变化可能来自多种因素：束流的均匀度、电压的变化、扫描的变化及机械系统的问题。这些潜在问题有可能导致比扩散工艺更大的方块电阻的变化。为检测和控制整个晶圆表面的方块电阻，绘图技术很流行。晶圆表面绘图（见图11. 38）基于计算机校正邻近与边缘效应后的四探针测试。

   习11. 37范德堡(Van Der Pauw)测试图形    图11. 38四探针表面测试图形（经Prometrics许可）离子注入的特殊测试技术是光学剂量测定。这项技术要求旋转涂有光刻胶的玻璃圆盘。在放入离子注入机以前，光刻胶膜被剂量检测仪扫描，以测量膜的吸收率。这条信息存储在计算机中。这个晶圆与上面的膜接受了与器件晶圆相同的离子注入。光刻胶吸收一定剂量的离子而变黑。注入后，该膜被再次扫描。计算机将每一点都减去注入前的值，打印出表面的等高线图。等高线的线间距反映了表面掺杂的均匀

性（见图11. 39）。