SOS裥S()I这两个缩写分别代表了Silicon On Sapphire和Silicon On Insulator。HCPL2601S丽者都足指在非半导体表面淀积硅。对此结构的需求产生于有源器件下的半导体衬底存在对一些MOS器件的限制。这些问题可通过在绝缘的衬底上形成硅层来解决。用于此的第一个衬底是蓝宝石(SOS)，随着对不同衬底的研究，该术语便被延伸到更为通用的绝缘体硅上(SOI)、

   一种方法是在衬底上直接淀积，此后通过再晶体化过程（激光加热、条形加热器、氧气注入）形成有用的薄膜心6。另一种方法是在表面氧化物上的孑L内进行选择性淀积，过生长后形成连续的薄膜。

   另外的SOI方法是SIMOX,、在这种T艺中，晶圆的顶层被转化成富氧注入的氧化物，外延层牛长在氧化物上。有一些键合晶圆( bonded wafer)的研究，这种方法是使两个晶圆键合在一起，然后对其中之一减薄（研磨和抛光）到器件层所需的厚度27。    

   在硅上生长砷化镓

   砷化镓是一种大量用的III-V族半导体材料。然而，它易碎，并且其晶圆直径限制在4英寸( 102 mm)，，在硅晶圆上生长砷化镓的尝试已经突破彼此晶格失配。在生长工艺中，失配引起使器件性能退化的位错。～种新方法是首先在硅晶圆上生长一个薄的钛酸锶膜。它rj硅反应形成无定形的二氧化硅层，，当淀积砷化镓膜时，二氧化硅层起到吸收失配的衬垫作用，如此可以形成一个单晶层；28。