氮化硅可替代氧化硅使用，HDMP-1034AG特别是对顶部保护层。氮化硅比较硬，可以比较好地保护开始    表面避免划伤，氮化硅也是一种较好的湿气和

   钠的阻挡层（无掺杂），具有较高的绝缘强度和

   抗氧化能力。后者的特性可使氮化硅在硅的局淀积并产生  部氧化( LOCOS)中使用，以达到隔离的目的。氮化硅图形  图12. 40中显示了它的工艺，带有图形的氮化

   硅岛保护岛下面的氧化物。在热氧化和去除氮化硅后，晶圆表面的区域用于器件的形成，并被生长热氧化硅    氧化物的隔离区域分开。氮化硅的不足之处在

   于它的流动性不如氧化物，而且比较难以刻蚀。采用等离子体刻蚀工艺可以克服刻蚀上的限制。去除    早期，用氮化硅作为保护膜所受到的限制氮化硅    是由于缺乏低温淀积工艺。在APCVD系统中，使用硅烷或SiCI., H7淀积氮化硅的温度在700℃~ 900℃之间（见图12.41），薄膜的咸分是Si3 N4。反应也可以在LPCVD反应室内进行，但是在铝金属层七淀积时，其温度要足够低。PECVD的出现开始了不同化学源的使用，其中之一是硅烷rj氨气( NH，)或氮气在氩气等离子体状态下的反应。