RCA清洗：在20世纪60年代中期，一名美RT9167-28PB国无线电公司(RCA)的工程师Wemer Kern开发出厂一种两步清洗工艺以去除晶片表面的有机和无机残留物。这一工艺被证明非常有效，而它的配方也以简单的“RCA清洗”为人们所熟知”361。只要提到RCA清洗，就意味着过氧化氢与酸或碱同时使用。第一步，标准清洗一1（SC-1）应用水，由过氧化氢和氨水的混合溶液组成，从5：1:1到7：2：1变化，加热温度在75℃~85℃之间。SC-1去除有机残留

物，同时建立一种从晶圆表面吸附痕量金属的条件。在工艺过程中，一层氧化膜不断形成又分解。

   标准清洗一2（SC-2）应用水、过氧化氢和盐酸，按照6:1：1到8：2：1的比例混合溶液，其工作温度为75。C—85℃之间。SC-2去除碱金属离子、氢氧根及复杂的残余金属。它会在晶片表面留下一层保护性的氧化物。化学溶液的原始浓度及其稀释的混合液.

   多年来，RCA的配方被证实是经久不衰的，至今仿是大多数炉前清洗的基本清洗工艺。随着工业清洗的需求，化学品的纯度也在不断地进行改进。根据不同的应用，SC-1和SC-2前后顺序也可颠倒。如果晶片表面不允许有氧化物存在，则需加入氢氟酸清洗这一步，j它叮以放在SC-1和SC-2之前进行，或者在两者之间，或者在RCA清洗之后。

   在最初的清洗配方基础上，曾有过多种改进和变化。晶圆表面金属离子的去除曾是一个问题。这些离子存在于化学品中，并且不溶于大多数的清洗和刻蚀液中。通过加入一种螯合剂( chelating agent)，例如乙烯基二胺四乙酸(EDTA)，使其与这些离子结合，从而阻止它们再次沉积到晶圆E。

   稀释的RCA溶液具有更多的用途。SC-1稀释液的比例为1：1：50（而不是1:1:5），SC-2稀释液的比例为1:1:60（而不是1:1:6）。这些溶液被证明具有与比它们更浓的溶液配方同样的清洗效果。而且，它们产生较小的微观上的粗糙，节约成本，同容易去除”l。、