我们已经提及了硅很容易氧化。氧化反应可以在空气中进行，或者是在有氧存在的加热的化学品清洗池中进行。通常在清洗池中生成的氧化物， RT9167-18PB尽管很薄(100~ 200 A)但其厚度足以阻挡晶圆表面在其他工艺过程中发生正常的反应。这一层的氧化物可成为绝缘体，从而阻挡晶圆表面与金属层之间良好的电接触。

   去除这些薄的氧化层是很多工艺的需要。有一层氧化物的硅表面具有吸湿性( hydroscopic)．没有氧化物的表面具有厌水性( hydrophobic)。氢氟酸(HF)是去除氧化物的首选酸。在初始氧化之前，当晶片表面只有硅时，将其放人盛有最强的氢氟酸(49%)的池中清洗。氢氟酸特氧化物去除，却不刻蚀硅。

   在以后的工艺中，当晶圆表面覆盖之前生成的氧化物时，用水和氢氟酸的混合溶液可将圆形孔隙中的薄氧化层去除。这些溶液的强度从100：1到10：7( H20:HF)变化．、对于强度的选择依赖于晶圆上氧化物的多少，因为水和氢氟酸的溶液既呵将晶圆孔中的氧化物刻蚀掉，又可将表面其余部分的氧化物去除。既要保证将孔中的氧化物去除，同时又不会过分地刻蚀其他的氧化层，这就要求选择一定的强度。典型的稀释溶液是1:50到1：100。

   如何处理硅片表面的化学物质是一直以来清洗T艺所面临的挑战。一般地，栅氧化前的清洗用稀释的氧氟酸溶液，并将其作为最后一步化学品的清洗，这叫做HF'结尾。HF结尾的表面足厌水性的，同时对低量的金属污染是钝化的。然而，厌水性的表面不轻易被烘f，经常残留水印( watermark)。另一个问题是增强了颗的附着，而且还会使电镀层脱离表面∞5；。