制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 1.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 23.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Depletion
系列: IXTP1R6N50
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 41 ns
正向跨导 - 最小值: 1.75 S
产品: MOSFETs
产品类型: MOSFET
上升时间: 70 ns
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 2 g
IXFK170N10P
IXFK170N20P
IXFK180N15P
IXFK200N10P
IXFK20N120P
IXFK220N15P
IXFK24N80P
IXFK250N10P
IXFK26N100P
IXFK26N120P
IXFK32N100P
IXFK32N80P
IXFK32N90P
IXFK36N60P
IXFK40N90P
