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IXTP1R6N100D2

发布时间:2024/5/25 15:00:00 访问次数:54 发布企业:深圳和润天下电子科技有限公司

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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 1.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 10 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Depletion
系列: IXTP1R6N100
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
产品类型: MOSFET
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel

单位重量: 2 g


IXFH69N30P
IXFH6N120P
IXFH74N20P
IXFH7N100P
IXFH88N30P
IXFH96N15P
IXFH96N20P
IXFK102N30P
IXFK120N20P
IXFK120N25P
IXFK140N20P
IXFK140N30P

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