制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 16 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 208 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 695 W
通道模式: Depletion
系列: IXTH16N20D2
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 135 ns
正向跨导 - 最小值: 7 S
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Depletion Mode MOSFET
典型关闭延迟时间: 270 ns
典型接通延迟时间: 46 ns
宽度: 5.3 mm
单位重量: 6 g
IXFP12N65X2A
IXFP34N60X2A
IXTH48N60X2A
IXTA130N15X4A
IXTP100N15X4A
IXTP130N15X4A
IXTP150N15X4A
IXTA1N170DHV
IXTH10N100D
IXTH1N170DHV
IXTP01N100D
IXTP02N50D
IXTT10N100D
IXTU01N100D
