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IXTA08N100D2

发布时间:2024/5/23 18:25:00 访问次数:40 发布企业:深圳和润天下电子科技有限公司

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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 800 mA
Rds On-漏源导通电阻: 21 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 14.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
通道模式: Enhancement
系列: IXTA08N100
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
产品类型: MOSFET
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel

单位重量: 4 g


PMMT591A,215 三极管
PMV213SN,215 MOS(场效应管)
74HC75D,652
74HC75PW
74HC75DB
74HC7540D
74HC7540D
74HC7540DB
74HC7541DB
74HC7541PW
74HC7541DB
74HC7540DB
BSP51,115 其他连接器
1N4728A,113 稳压(齐纳)二极管
BAS16WF 开关二极管
BAS16W
PCA9632DP1 其他被动元件
PUMH20,115 三极管
BUK7Y6R0-60EX MOS(场效应管)
BUK7Y65-100EX

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