制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.7 kV
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 110 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 568 W
通道模式: Enhancement
系列: IXTH2N170
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
产品类型: MOSFET
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 6 g
IXTH10N100D
IXTH1N170DHV
IXTP01N100D
IXTP02N50D
IXTT10N100D
IXTU01N100D
IXTU02N50D
IXTY01N100D
IXTY02N50D
IXFA10N60P
IXFA10N80P
IXFA12N50P
IXFA14N60P
IXFA16N50P
IXFA4N100P
