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IXTA08N100D2HV

发布时间:2024/5/23 18:30:00 访问次数:53 发布企业:深圳和润天下电子科技有限公司

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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263HV-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 800 mA
Rds On-漏源导通电阻: 21 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 14.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
通道模式: Depletion
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 48 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 57 ns
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 28 ns

单位重量: 2.500 g


PTVS6V5P1UTP
PMDT290UNEYL
IP4292CZ10-TBR,115 ESD二极管
1N4729A,113 稳压(齐纳)二极管
1N4729A
MC74HC595ADR2G
BCW32,235
BCW32
BF620,115
PHKD6N02LT,518 MOS(场效应管)
PMN80XP,115
BAV199 开关二极管
BAV199
BAV199
BAV199LT1G
BAV199W
BCV62B
BCV62A,215
BAT54 整流器件
BAS29,215 雪崩二极管
BUK9207-30B,118 低压MOS管
BUK9209-40B

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