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IXTA08N50D2

发布时间:2024/5/23 18:32:00 访问次数:40 发布企业:深圳和润天下电子科技有限公司

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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 800 mA
Rds On-漏源导通电阻: 4.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 12.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
通道模式: Depletion
系列: IXTA08N50
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 52 ns
正向跨导 - 最小值: 340 mS
高度: 4.83 mm
长度: 9.65 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 54 ns
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Depletion Mode MOSFET
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
宽度: 10.41 mm

单位重量: 1.600 g


T2080NXE8TTB
PMV48XP 贴片三极管
PMV48XPVL
PMV48XPAR
PMV48XP
BAV99S
BAV99LT1G
BAV99-7-F
BAV99 开关二极管
BAV99S
BAV99W
BAV99LT1G
MCIMX283DVM4B
BAV99-7-F 开关二极管
MCIMX287CVM4B 其他被动元件
74LVCH244AD,118
74LVCH1T45GS

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