制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 16 A
Rds On-漏源导通电阻: 64 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 225 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 830 W
通道模式: Depletion
系列: IXTH16N10D2
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 70 ns
正向跨导 - 最小值: 11 S
产品: MOSFETs
产品类型: MOSFET
上升时间: 43 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 340 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
单位重量: 6 g
IXTT16N10D2
IXTT16N20D2
IXTT16N50D2
IXTT2N170D2
IXTY08N100D2
IXTY08N50D2
IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N50D2
IXTY2P50PA
IXFH40N80XA
IXFH50N80XA
IXFH22N60X2A
IXFH34N60X2A
IXFH46N60X2A
IXFH60N60X2A
