制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 800 mA
Rds On-漏源导通电阻: 4.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 12.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
通道模式: Depletion
系列: IXTP08N50
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 52 ns
正向跨导 - 最小值: 340 mS
产品类型: MOSFET
上升时间: 54 ns
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 2 g
IXFH20N80P
IXFH22N50P
IXFH22N60P
IXFH24N80P
IXFH24N90P
IXFH26N50P
IXFH26N60P
IXFH30N50P
IXFH30N60P
IXFH36N50P
IXFH36N60P
IXFH44N50P
IXFH52N30P
IXFH5N100P
