制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 800 mA
Rds On-漏源导通电阻: 21 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 14.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
通道模式: Depletion
系列: IXTP08N100
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 48 ns
正向跨导 - 最小值: 330 mS
产品类型: MOSFET
上升时间: 57 ns
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 2 g
IXFH12N90P
IXFH140N10P
IXFH14N60P
IXFH14N80P
IXFH150N15P
IXFH15N100P
IXFH16N120P
IXFH16N50P
IXFH16N80P
IXFH170N10P
IXFH18N60P
IXFH18N90P
IXFH20N100P
