bychip可替代_IRF5805TRPBF导读
mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。
金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。
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bychip可替代
在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。 掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高。P型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。
P型衬底在 MOS管内部是和 源级（S）相连。
以P型半导体为衬底，在一个 低掺杂容度 的 P 型半导体上，通过扩散技术做出来2块 高掺杂容度 的 N 型半导体，引出去分别作为 源级（S） 和 漏极（D）。
PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。我们通过原理分析可以得知，NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动，空穴的迁移率比电子低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于 NMOS，形成空穴沟道比电子沟道更难。PMOS价格贵，厂商少，型号少。（相对而言，其实MOS管发展到现在，普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号）。 PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。
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IRLML6402TRPBF
CSD17579Q3A、DMC2038LVT-7-F、DMG1012T、DMN3024LSD-13、DMP3020LSS-13、DMP3099L-7、DTU40P06、FDC5661N、FDC6306P、FDG6321C。
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现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS管 导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。RDS(on)(漏源电阻) 导通时漏源间的最大阻抗，它决定了MOSFET导通时的消耗功率。这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
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MOS电容的特性能被用来形成MOS管。其中一个称为source，另一个称为drain。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。
由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。
文章来源：www.bychip.cn
