bychip可替代IRF7309TRPBF导读
基础知识中 MOS 部分迟迟未整理，实际分享的电路中大部分常用电路都用到了MOS管， 今天势必要来一篇文章，彻底掌握mos管！。
场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
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注：MOS管输出特性的恒流区（饱和区），相当于三极管的放大区。VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管进入恒流区：恒流区在输出特性曲线中间的位置，电流ID基本不随VDS变化，ID的大小主要决定于电压VGS，所以叫做恒流区，也叫饱和区，当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区（饱和区）。
我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。
在P型衬底和两个N型半导体 之间加一层 二氧化硅（SiO?）绝缘膜，然后通过多晶硅引出引脚组成栅极（G）。
VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区： 可变电阻区在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。
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IRF540NSTRPBF
2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
在 MOS管中，半导体材料通常是硅。MOS管的基本原理是利用一个金属栅极、氧化物和半导体组成的结构来控制导体的电阻。
AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。
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?场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。
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