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bychip可替代IRF7314TRPBF

发布时间:2023/7/26 22:39:00 访问次数:58 发布企业:深圳市百域芯科技有限公司

bychip可替代_IRF7314TRPBF导读

一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。什么是MOS管?这种基本的名词解释还是得用官方的话语说明一下: MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种。 结合下图与上面的内容也能解释为什么实际应用以增强型为主,主要还是电压为0的时候,D极和S极能否导通的问题。在实际应用中,以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主。


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bychip可替代

以P型半导体为衬底,在一个 低掺杂容度 的 P 型半导体上,通过扩散技术做出来2块 高掺杂容度 的 N 型半导体,引出去分别作为 源级(S) 和 漏极(D)。

MOS管全名为:金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管。

VGS>VGS(th) ,且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区: 可变电阻区在输出特性的最左边,Id随着Vds的增加而上升,两者基本上是线性关系,所以可以看作是一个线性电阻,当VGS不同电阻的阻值就会不同,所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。

在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。 掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高。P型半导体又称空穴型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。


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FQPF30N06L

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。 MOS管 导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。RDS(on)(漏源电阻) 导通时漏源间的最大阻抗,它决定了MOSFET导通时的消耗功率。这个值要尽可能的小,因为一旦阻值偏大,就会使得功耗变大。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。

AO4407、AO4407A、AO4409、AO4421、AO4430、AO4435、AO4485、AO4485、AO4606、AO4611。

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最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。

当电压差超过阈值电压时,channel就出现了。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时,不会形成channel。


文章来源:www.bychip.cn


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