bychip可替代_IRF7314TRPBF导读
由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，"PMOS Vt从0.6V上升到0.7V"， 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。
因此PMOS管的阈值电压是负值。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。
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注：MOS管输出特性的恒流区（饱和区），相当于三极管的放大区。VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管进入恒流区：恒流区在输出特性曲线中间的位置，电流ID基本不随VDS变化，ID的大小主要决定于电压VGS，所以叫做恒流区，也叫饱和区，当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区（饱和区）。
对于人类发展而言，肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展，教学也是相同的道理，从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物，然后再步步深入。为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。这个简单点，包括生产难度，实现成本，实现方式等等。
VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区： 可变电阻区在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。
VGS(最大栅源电压) 栅极能够承受的最大电压，栅极是MOS管最薄弱的地方，设计的时候得注意一下，加载栅极的电压不能超过这个最大电压。
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IRF7341TRPBF
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常用的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。MOS管是一种场效应管，其主要作用是在电路中实现信号放大、开关控制等功能。
AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。
APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。
FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。
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如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。
因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。
文章来源：www.bychip.cn
