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bychip可替代IRF7240TRPBF

发布时间:2023/7/26 22:26:00 访问次数:46 发布企业:深圳市百域芯科技有限公司

bychip可替代_IRF7240TRPBF导读

基础知识中 MOS 部分迟迟未整理,实际分享的电路中大部分常用电路都用到了MOS管, 今天势必要来一篇文章,彻底掌握mos管!。

这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon(外在硅),他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。


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bychip可替代

所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。 5、极强的大电流处理能力,可以方便地用作恒流源。 4、在电路设计上的灵活性大,栅偏压可正可负可零,三极管只能在正向偏置下工作,电子管只能在负偏压下工作; 4、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强,制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。MOS管特点 1、输入阻抗非常高,因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物,甚至可达上亿欧姆,所以他的输入几乎不取电流,可以用作电子开关。 6、MOS管栅极很容易被静电击穿,栅极输入阻抗大,感应电荷很难释放,高压很容易击穿绝缘层,造成损坏。 2、导通电阻低,可以做到几个毫欧的电阻,极低的传导损耗,。 3、开关速度快,开关损耗低,特别适应PWM输出模式。

注:MOS管输出特性的恒流区(饱和区),相当于三极管的放大区。VGS≥VGS(th),且VDS>VGS-VGS(th),MOS管进入恒流区:恒流区在输出特性曲线中间的位置,电流ID基本不随VDS变化,ID的大小主要决定于电压VGS,所以叫做恒流区,也叫饱和区,当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区(饱和区)。

以P型半导体为衬底,在一个 低掺杂容度 的 P 型半导体上,通过扩散技术做出来2块 高掺杂容度 的 N 型半导体,引出去分别作为 源级(S) 和 漏极(D)。

MOS管的导通条件 MOS管的开关条件: N沟道:导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通; P沟道:导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。 MOS管导通条件:|Vgs| > |Vgs(th)|。


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IRF7309TRPBF

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。

是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。ID(导通电流) 最大漏源电流。 场效应管的工作电流不应超过 ID 。一般实际应用作为开关用需要考虑到末端负载的功耗,判断是否会超过 ID。

APM4828KC-TRL、BSH103、BSH114、BSL302SN、BSP250、CEM4953、CES2312、CEU4311、CJ8810、CMD12N10。

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只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压,就不会形成channel。假设source 和backgate都接地,drain接正电压。

如果GATE电压超过了阈值电压,在GATE电介质下就出现了channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置,所以只有很小的电流从drain流向backgate。


文章来源:www.bychip.cn


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