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bychip可替代IRF7240TRPBF

发布时间:2023/7/26 22:24:00 访问次数:41 发布企业:深圳市百域芯科技有限公司

bychip可替代_IRF7240TRPBF导读

MOS管分类按沟道分类,场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管。按材料分类,可以分为分为耗尽型和增强型:增强型管:栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流也为零; 耗尽型管:栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零。

基础知识中 MOS 部分迟迟未整理,实际分享的电路中大部分常用电路都用到了MOS管, 今天势必要来一篇文章,彻底掌握mos管!。


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bychip可替代

VGS(最大栅源电压) 栅极能够承受的最大电压,栅极是MOS管最薄弱的地方,设计的时候得注意一下,加载栅极的电压不能超过这个最大电压。

所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。 5、极强的大电流处理能力,可以方便地用作恒流源。 4、在电路设计上的灵活性大,栅偏压可正可负可零,三极管只能在正向偏置下工作,电子管只能在负偏压下工作; 4、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强,制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。MOS管特点 1、输入阻抗非常高,因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物,甚至可达上亿欧姆,所以他的输入几乎不取电流,可以用作电子开关。 6、MOS管栅极很容易被静电击穿,栅极输入阻抗大,感应电荷很难释放,高压很容易击穿绝缘层,造成损坏。 2、导通电阻低,可以做到几个毫欧的电阻,极低的传导损耗,。 3、开关速度快,开关损耗低,特别适应PWM输出模式。

VGS>VGS(th) ,且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区: 可变电阻区在输出特性的最左边,Id随着Vds的增加而上升,两者基本上是线性关系,所以可以看作是一个线性电阻,当VGS不同电阻的阻值就会不同,所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。

我们先来看一下MOS管的输出特性曲线,MOS管的输出特性可以分为三个区:夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。在一定的Vds下,D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。


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FR3505

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常用的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。MOS管是一种场效应管,其主要作用是在电路中实现信号放大、开关控制等功能。

现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。 MOS管 导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。RDS(on)(漏源电阻) 导通时漏源间的最大阻抗,它决定了MOSFET导通时的消耗功率。这个值要尽可能的小,因为一旦阻值偏大,就会使得功耗变大。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。ID(导通电流) 最大漏源电流。 场效应管的工作电流不应超过 ID 。一般实际应用作为开关用需要考虑到末端负载的功耗,判断是否会超过 ID。

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

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由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说,只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时,才会有drain电流。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。

如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置,电子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累,没有channel形成。


文章来源:www.bychip.cn


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