bychip可替代_IRF5803TRPBF导读
市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。
因此PMOS管的阈值电压是负值。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。
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bychip可替代
MOS管全名为：金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管。
P型衬底在 MOS管内部是和 源级（S）相连。
夹断区在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。电流ID为0，管子不工作。
在P型衬底和两个N型半导体 之间加一层 二氧化硅（SiO?）绝缘膜，然后通过多晶硅引出引脚组成栅极（G）。
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IRFR9120NTRPBF
AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。
APM4828KC-TRL、BSH103、BSH114、BSL302SN、BSP250、CEM4953、CES2312、CEU4311、CJ8810、CMD12N10。
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
金属栅极被置于氧化物层之上，而这层氧化物又被放置在半导体材料的表面上。
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如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。
因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。
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