离子注入机分为如下类别： BAS70-04LT1G中等束流和高束流设备，高能量与氧离子注入机。离开加速管的正离子流实际上就是电流。束流高低水平可转化为每分钟注入的离子数量。束流越高，入射原子就越多。被注入的原子量称为剂量( dose)。中等束流的机器可以产生0.5—1.7 mA范围的束流，能量范围为30~ 200 keV。高束流机器能产生能量高达200 keVI9J El束流强度达10 mA的束流。高能量离子注入机在CMOS掺杂中应用，包括倒掺杂的阱、沟道停止和深埋层（见第16章）。

    高束流离子注入的一个问题是晶圆表面所带电荷（晶圆带电）大到无法接受的程度。高强度束流携带大量正电荷，使晶圆表面充电。正电荷从晶圆表面、晶圆体内和束流中吸引中和电子。高电压充电可以使表面绝缘层退化和破坏。晶圆带电是MOS薄栅介质层的特有问题【IO。用于中和或降低充电的方法：专门设计用于提供电子的电子枪(flood gun)，用等离子桥的办法提供低能电子iII I，同时通过磁场控制电子路径。1

   显示了用于生产层次的离子注入机的束流与能量的关系。高能离子注入机将离子如速到10 keV到3.0 MeV能量，束流最高可达1.0 mA。氧离子注入机用做SOI应用中的氧离子注入（见第16章）。