磁控溅射(Magnetlon助utt山llg)是在⒛世纪70年代发展起来的溅射技术。1974年Chamn发明了适用于工业应用的平面磁控溅射靶,这一发明推动了磁控溅射进人生产领域。L7905CP目前,磁控溅射已成为集成电路制造技术中实际应用最多的P`0薄膜制备方法。

   磁控溅射是在阴极靶面上建立与电场正交的环形磁场,以控制离子轰击靶面所产生的二次电子的运动轨迹。二次电子被局限于靶面附近,呈现螺旋状环形运动轨迹,如图⒏⒛所示是磁控溅射靶表面的磁场和电子运动的轨迹。

   图⒏24 磁控溅射靶表面的磁场和电子运动的轨迹

  实际上,多数溅射装置都有附加磁场,以延长电子飞向阳极的行程。只不过磁控溅射所采用的环形磁场对二次电子的控制更加严密。

   磁控溅射靶延长了二次电子的运动路径,增加了电子与气体原子(或分子)的碰撞次数,极大地提高了等离子体中的离子浓度。在直流等离子系统中,典型离子密度是0,0001%,而在磁控等离子系统中,离子密度可达0.03%。由此带来如下优点。