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刻蚀选择比

发布时间:2017/5/28 14:52:16 访问次数:3817

   刻蚀选择比(如图113所示)是指在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少,它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。OPA2137EA/2K5高的选择比意味着只刻蚀想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺几乎不刻蚀下面一层材料(刻蚀到恰当的深度时停止),并且保护的光刻胶也几乎未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度。高选择比在最先进的工艺中对于确保关键尺寸和剖面控制是必需的。特别是关键尺寸越小,选择比要求越高。

     

   对于被刻蚀材料和掩蔽层材料(如光刻胶)的选择比SR可以通过

式中,Ef为被刻蚀材料的刻蚀速率;虽为掩蔽层材料的刻蚀速率(如光刻胶)。 根据这个公式,选择比通常表示为一个比值。一个选择比差的刻蚀工艺这一比值可能是意味着被刻蚀的材料与光刻胶掩蔽层被去除得一样快。而一个选择比高的刻蚀丁艺这一比值可能是100:1,说明被刻蚀材料的刻蚀速率是不要被刻蚀材料刻蚀速率的100倍。

   干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。在这种情况下,一个等离子体刻蚀设各应装上一个终点检测系统,使得在造成最小的过刻蚀时停止刻蚀过程。当下一层材料正好露出来时,终点检测器会触发刻蚀机控制器而停止刻蚀。

 

   刻蚀选择比(如图113所示)是指在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少,它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。OPA2137EA/2K5高的选择比意味着只刻蚀想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺几乎不刻蚀下面一层材料(刻蚀到恰当的深度时停止),并且保护的光刻胶也几乎未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度。高选择比在最先进的工艺中对于确保关键尺寸和剖面控制是必需的。特别是关键尺寸越小,选择比要求越高。

     

   对于被刻蚀材料和掩蔽层材料(如光刻胶)的选择比SR可以通过

式中,Ef为被刻蚀材料的刻蚀速率;虽为掩蔽层材料的刻蚀速率(如光刻胶)。 根据这个公式,选择比通常表示为一个比值。一个选择比差的刻蚀工艺这一比值可能是意味着被刻蚀的材料与光刻胶掩蔽层被去除得一样快。而一个选择比高的刻蚀丁艺这一比值可能是100:1,说明被刻蚀材料的刻蚀速率是不要被刻蚀材料刻蚀速率的100倍。

   干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。在这种情况下,一个等离子体刻蚀设各应装上一个终点检测系统,使得在造成最小的过刻蚀时停止刻蚀过程。当下一层材料正好露出来时,终点检测器会触发刻蚀机控制器而停止刻蚀。

 

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