W金属的干法刻蚀使用的气体主要是S、Ar及O2。其中,S民在等离子体中可分解以提供F原子与W进行化学反应生成氟化物WF‘,其他氟化物的气体,如CF1、NF3等均可用来作为钨回刻的气体,因W风在常温下为气态(沸点为17.1℃),极易被排出刻蚀腔,不会影响腔内的刻蚀情况。但若使用S虱为刻蚀气体,OPA343NA/3K最终产物也将有硫的存在,其缺点为:因硫的蒸气压较低,在刻蚀腔内会有较多量的沉积,可能导致钨回刻不净;好处是栓塞中的钨损失较少。若使用CF4为刻蚀气体,则可能出现与上述相反的情况。因S虱在等离子体中提供F原子的效率优于C△,即具有较高的刻蚀速率,因此选择SF6为刻蚀气体有渐多的趋势。

    Ar在钨回刻中起着重要的作用,因Ar对W的刻蚀属于离子撞击,可有效去除刻蚀时在晶片表面沉积的保护层(如硫)而减少钨回刻不净的现象。另外,02在刻蚀中只使用少量,它主要是加强氟化物气体在等离子体中的解离效率及减少保护层的沉积量。因此,有无使用O2对刻蚀效果有较大的差别,如果大量使用(`时会产生相反的结果。

在通孔栓塞的制作过程中,因底层是金属Al.不需使用Ti来改善接触电阻的问题,所以黏着层使用TN即可,这是通孔栓塞与接触孔栓塞制作过程的区别。其他部分则相同cW栓塞工艺在应用初期,钨回刻时大多将介电层表面的黏着层同时去除,但现在趋向于保留黏着层,这样可缩短刻蚀时间,更可减少金属Al溅镀前的黏着层沉积.