在进行Ti/TiN沉积之前,wafer还要进行前处理,一是加热(degas)去除ILD layer里的水汽和 OPA2137EA/2K5从上道工艺可能残留下来的聚合物(polymer),二是用氩气进行离子轰击(Ar predean)去除w盯er表面的氧化物。

   传统的degas chamber一般采用灯泡(lamp)加热,到了300mm时,出现了加热效率更高DMD(Dual Mode Dcgas)chamber,wafer正面用灯泡加热背面用电阻(heater)加热。DMD的另一个优点是杂质气体去除效率高。随着HD材料的变化,de皿s的制程也要做相应的调整。在65nm世代及以前,主要的ILD工艺是HDP,其材料相对致密,吸附的水汽较少。到了45nm,由于多晶硅侧墙(spacer)的间距(space)缩小,弓卜入了具有更好gap hll能力的HARP工艺。HARP是一种SACVD工艺,由于没有HDP中的离子轰击步骤,薄膜的致密性要比HDP差,吸附的水汽就相对多,相应的degas的温度和时间就要升高和延长。但是,degas的温度和时间也要控制。因为65nm及以下世代,使用NiSi做Source/Dr缸n和Poly hne的硅化物,NiSi的缺点是热稳定性差,过多的热量(therma1budget)会使NiSi向NiSi2转变,RC和器件漏电都会增加。