在基本的光刻工艺过程中,最终步骤是检验。衬底在入射白光或紫外光下首先接受表面目检,以HAT3006R-EL-E检查污点和大的微粒污染。之后是显微镜检验或白动检验来检验缺陷和图案变形。对于特定的光刻版级别的关键尺寸的测量也是最终检验的一部分:付光刻质量的检测手段主要有以下几种。

   1 显微镜目检

   这种方法在微米、亚微米工艺中是普遍采用的。常见的光刻缺陷有:①掩模板上的图形有缺陷(如铬膜剥落、划伤、脏污等)或曝光系统设备上的不稳定(如透镜缺陷、焦距异常等),就会在图形

转移时将缺陷也转移到光刻胶图形上。②硅片受到污染,表面有微粒;③涂胶、曝光、显影条件发生变化,造成图形畸变。如图910所示为显微镜目检示意图。

   在深亚微米工艺中亻已逐渐采用全自动图像对比来检查光刻胶图形的缺陷,以取代人工作业。

   2线宽控制

   集成电路的图形尺寸都是由设计准则决定的,而特征尺寸(如栅极的长度)更是决定器件性能的重要参数指标。因此,保证转移到光刻胶膜上的图形尺寸完全符合设计要求,就需要在光刻△艺的各道工序中找出最佳的工艺条件。在光刻流程中经常要对线宽(指特征尺寸)进行测量。测量值用统计学的标准差来表示,并制成图表。倘若曲线走势异常,就要马上进行干预。