反向二极管恢复时间和电磁兼容性大大提升了器件整体精度
发布时间:2024/5/13 0:14:31 访问次数:284
全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。
这些先进模型中加入了反向二极管恢复时间和电磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整体精度。参数可帮助工程师建立精确的电路和系统级仿真，并在原型设计前对电热及EMC性能进行评估。
模型还有助于节省时间和资源，工程师此前需要确保他们的设计可以在（不太可能的）最坏情况下工作，而现在能够在特定温度范围内对设计进行仿真。
元件损坏的方式，有过压损坏，过流损坏，当然还有机械损坏，过压损坏如雷击，击穿桥式整流管，过流损坏如显示器行管热击穿。
集成电路内部结构复杂，功能很多，任何一部分损坏都无法正常工作，集成电路的损坏也有两种：彻底损坏，热稳定性不良，彻底损坏时，可将其拆下，与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正，反向电阻，总能找到其中一只或几只引脚阻值异常，对热稳定性差的，可以在设备工作时，用无水酒精冷却被怀疑的集成电路，如果故障发生时间推迟或不再发生故障，即可判定，通常只能更换新集成电路来排除。
Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃整个工作温度范围一系列完整器件参数。
深圳市优信沃科技有限公司http://dzsyxw.51dzw.com
全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。
这些先进模型中加入了反向二极管恢复时间和电磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整体精度。参数可帮助工程师建立精确的电路和系统级仿真，并在原型设计前对电热及EMC性能进行评估。
模型还有助于节省时间和资源，工程师此前需要确保他们的设计可以在（不太可能的）最坏情况下工作，而现在能够在特定温度范围内对设计进行仿真。
元件损坏的方式，有过压损坏，过流损坏，当然还有机械损坏，过压损坏如雷击，击穿桥式整流管，过流损坏如显示器行管热击穿。
集成电路内部结构复杂，功能很多，任何一部分损坏都无法正常工作，集成电路的损坏也有两种：彻底损坏，热稳定性不良，彻底损坏时，可将其拆下，与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正，反向电阻，总能找到其中一只或几只引脚阻值异常，对热稳定性差的，可以在设备工作时，用无水酒精冷却被怀疑的集成电路，如果故障发生时间推迟或不再发生故障，即可判定，通常只能更换新集成电路来排除。
Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃整个工作温度范围一系列完整器件参数。
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