- 进行必要的验算2012/5/20 19:38:22 2012/5/20 19:38:22
- 按照式(3.1)用上面的AM26C31IDR阻值讣算其栅极电压VG，得到这个值很接近前面所计算得到的VG=1.75V。当然，Ri和R2也应该采用接近的E24数列中的电阻值。由于未必是理想的...[全文]
- FET是电压控制器件2012/5/19 20:24:45 2012/5/19 20:24:45
- 双极晶体管是由基极电流控TMS320F2801PZA制集电极与发射极之间电流流动的器件，是由电流控制输出的，所以叫做电流控制器件；FET是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流流动的器件，是由电压...[全文]
- 将第二级进行渥尔曼一自举化后的OP放大器电路2012/5/19 19:51:55 2012/5/19 19:51:55
- 图12.28是将第二级的共发射极电FSBB30CH60F路进行渥尔曼一自举化后的OP放大器电路。渥尔曼电路是消除密勒效应的影响，扩展了电路频率特性的电路。因此，越在密勒效应影响大的地方使用，其效果...[全文]
- 表记方法与基本的工作2012/5/17 20:22:34 2012/5/17 20:22:34
- 首先对于所谓OP放大器（即OperationalAmplifier，运算放大器）是怎T435-600B样的器件，稍稍加以复习。图12.1是OP放大器的电路符号，有两个输入端，一个输出端。加有负符...[全文]
- 高频特性2012/5/17 19:52:31 2012/5/17 19:52:31
- 图11.14表示在高频范围(lookHz～lOOMHz)的电ATXMEGA128A1-AU压增益与相位的频率特性。这是在输入1输入信号，分别由输出端取出信号来进行测量的。高频截止频率FCH约为7.1...[全文]
- 2SK330的特性2012/5/16 20:10:49 2012/5/16 20:10:49
- 该电路使用的JFET，如果在IDSS档上有AM26LV32EIPWR所希望取的值，则不管哪种都可以。在这里，选择通用N沟JFET、2SK330(东芝)。2SK330的特性表示在表10.1中。...[全文]
- 正确的裸增益2012/5/15 19:51:17 2012/5/15 19:51:17
- 如前面规定的那样，让我们对裸S35390A增益进行测量，然后代人式(9.6)，对电路正确的增益进行一下计算。图9.13是去掉负反馈之后的频率特性（将图9.3的Rf的输出端一侧，如图9.7那样接到...[全文]
- 放大度与频率特性2012/5/15 19:48:28 2012/5/15 19:48:28
- 图9.12表示的是低频(l～l0kHz)范围AD694ARZ内电压增益的频率特性。当对设计出的电路进行正确的电压增益测量时，在lokHz的点处，电压增压约为39.4dB，即93.3倍，比设计值...[全文]
- 决定增益的RE.R3与R22012/5/14 20:54:14 2012/5/14 20:54:14
- 在决定Tr，发射极电流的电阻RE+R3上所加MAX14841EASA的电压已经确定为2V，所以为了使发射极电流为2mA，则Rc的值由式(8.4)将RE+R3的值乘上增益而得出。这样一来，在该...[全文]
- 输入阻抗的测定2012/5/13 18:22:33 2012/5/13 18:22:33
- 照片6.10是条件FM28V100-TG与照片6.9相同、且信号频率为10MHz时的波形。因为VI为39mVP-P，可知ZI仍为7.5Q左右。这样的共发射极电路的发射极阻抗，在频率从低...[全文]
- 使用PNP晶体管的共基极放大电路2012/5/13 18:10:55 2012/5/13 18:10:55
- 图6.11是使用PNP晶体管、电压增益为20dB的共FM28V010-SG基极放大电路。PNP晶体管的发射极电流由于电流方向是流进器件的，所以如图所示，发射极为正电源一侧。但是，仅仪是电流的方向不同...[全文]
- 声频放大器的性能2012/5/12 20:29:19 2012/5/12 20:29:19
- 在图5.13中，表示失真率FM25C160B-GA相对于输出功率的曲线图。因为在OP放大器中加了负反馈，所以失真率也是非常好的值。在设计目标的为10W情况下，已达到0.1%的失真率。...[全文]
- 放大器的规格2012/5/12 20:06:57 2012/5/12 20:06:57
- 应用迄今叙述的技术来FM24V10-GTR试验设计10W输出的功率放大器。图5.10中表示制作功率放大器的电路图。电压放大级使用OP放大器IC。用这个IC，电路被简化，并且在加上反馈时的失真也小。...[全文]
- 考虑散热的设计2012/5/12 19:55:19 2012/5/12 19:55:19
- 在A类与B类工作中，我们对晶体管的FM24CL16-GTR集电极损耗进行了计算。下面考虑一下进行散热的散热器——即热沉的大小。晶体管的热击穿是结的温度-P型与N型半导体结合部分的温度正超过150℃...[全文]
- 输出负载加重的情况2012/5/10 20:11:00 2012/5/10 20:11:00
- 然而，如图3.1所示，使用发射极负APT1222载电阻RE的射极跟随器，在取出很大电流（接上阻抗低的负载）时，输出波形的负恻被截去，此现象必须引起注意。照片3.7为负载电阻为680Q，输入8VP-...[全文]
- 晶体管和FET的优势2012/5/8 20:44:29 2012/5/8 20:44:29
- 最近的晶体管和FET，因为吸收了IC和LSI的技74HCT21术而不断取得进步，所以若IC和LSI的性能变得越来越好，晶体管和FET的性能也就变得越来越好。并且，这些超高性能的晶体管和FET可以用...[全文]
- 化学稳定性财可靠性的影响与控制 2012/5/7 19:47:09 2012/5/7 19:47:09
- 声表面波器件外壳、引线管脚中金属受ADT75ARZ-REEL7到周围因素的影响产生化学作用引起的腐蚀，对声表面波器件的性能产生极为有害的后果，直接影响到声表面波器件的可靠性。为防止声表面波器件的引...[全文]
- 声表面波延迟线性能可靠性设计2012/5/6 15:08:35 2012/5/6 15:08:35
- 在声表面波器件中，声表面波延迟线2SK2608的应用仅次于声表面波带通滤波器。最基本的声表面波延迟线由压电基片和在其表面的输入、输出两个IDT组成。其工作原理是：基片一端的输入IDT，将输入电信号辖...[全文]
- 声表面波滤波器性能设计2012/5/6 14:57:30 2012/5/6 14:57:30
- 声表面波器件中研究最充分、应用最KMR221GLFS广泛的是带通滤波器。其特点是：①可以实现任意的振幅和相位响应，并且原则上可以分别进行控制。②尺寸小、重量轻、稳定性好、可靠性高。③无需调整，...[全文]
- 在电子设备中的作用和可靠性要求2012/5/5 20:07:47 2012/5/5 20:07:47
- 由于声表面波器件具有小型化、高可靠、多功能、一致性好以HT1621及设计灵活等优点，所以它在通信、广播电视系统、雷达、空中交通管制、导航与敌我识别、电子战、微波中继以及声呐中已经或正在获得广泛的应用...[全文]
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