照片6.10是条件FM28V100-TG与照片6.9相同、且信号频率为10MHz时的波形。

    因为VI为39mVP-P，可知ZI仍为7.5Q左右。
    这样的共发射极电路的发射极阻抗，在频率从低频直至高频范围都为数欧的值。所以，如该电路所示，可以将信号直接输入到发射极上。
    但是，直接输入到发射极方式的共基极电路，由于电路的输入阻抗为数欧那样低的值，所以它通常是难于使用的。为此，除了在高频范围，不再使用这个电路。
    在高频电路中，由于整体的电路阻抗都低，所以输入阻抗低并不是太大的问题。在输入端与发射极间插入电阻，电路的增益兢下降，因此仍使用图6. 14那样的将信号直接输入到发射极方式的共基极电路。
    电路的设计方法与通常的共基极放大电路相同。但因为没有插入发射极电阻，所以电压增益由所用的晶体管来决定。还有，由于必须在高频范围进行工作，所以发射极电流稍稍设定得大一些（通常，发射极电流流得越多，频率特性变得就越好）。
    耦合电容、基极接地电容和电源的旁路电容等，由于处理的频率很高，所以使用数值小的。关于电容器的品种，使用的是陶瓷电容。由于电解电容和薄膜电容在高频范围的阻抗不变低，所以不在高频范围段使用。
    很显然，由于处理的频率很高，所以在电路装配时必须留神。