- 绝缘结构件的可靠性设计2015/6/30 21:14:38 2015/6/30 21:14:38
- ·结构形状及中心距的确定根据产品结构要求及抗电强度、绝缘电阻、负载、触点温升等参数的要求，LM4898LD/NOPB合理地选择绝缘件的结构形状和中心距，并留有参数要求的足够裕量。...[全文]
- 对于陶瓷电容器2015/6/29 21:28:29 2015/6/29 21:28:29
- 对于陶瓷电容器，温度补M25P010AF-6偿型用于高频谐振电路；高诱电型用于滤波及信号电路；温度补偿型有：CH零温度补偿型（例如，RC谐振电路，不需补偿温度系数）、UJ负温度补偿型（例如，I。...[全文]
- 电容器的应用2015/6/29 21:25:21 2015/6/29 21:25:21
- 电容器在装入电路前要检查它有没有短路、断路和漏电等现象，并且核对它的电容值。M1575AI安装的时候，要使电容器的类别、容量、耐压等符号容易看到，以便核实。电容器应用时有如下几个方面的常识。...[全文]
- 薄膜电容器 2015/6/28 20:20:35 2015/6/28 20:20:35
- 薄膜电容器又称塑料电容器，结构与N28F001BXT120纸质电容器相似，常用的介质材料包括有机薄膜，特点是：频率特性好、介电损耗小、不能做成大的容量、耐热能力差等，被大量使用在模拟电路...[全文]
- 金属化聚苯乙烯电容器有良好的自愈能力2015/6/28 20:12:01 2015/6/28 20:12:01
- 聚苯乙烯电容器应用于对稳定性和损耗要求较高的电路，如各类精密测量仪表、NC7SZ04P5X汽车收音机、工业用接近开关、高精度的数一模转换电路。聚苯乙烯薄膜电容器可用于高频电路（金属化聚苯乙烯电容...[全文]
- 非线性测试的失效分析法2015/6/27 19:11:16 2015/6/27 19:11:16
- 正常的电阻器中，F0402E0R25FSTR其三次谐波电压都在一定范围内。三次谐波电压过大的电阻器往往具有引起早期失效的潜在缺陷。如果碳膜电阻器存在引线与帽盖、帽与薄膜接触不良，薄膜不均匀成有斑...[全文]
- 氧化过程的存在2015/6/27 19:03:08 2015/6/27 19:03:08
- 对于多数电阻器的导电材料，FBMH2012HM121-T空气中的氧气会导致氧化过程，从而使其阻值不断螬加。氧化的速率会随温度的升高和相对温度的增大而增大。氧化与导电膜层的厚度有关，导电膜层越薄，...[全文]
- 抗辐射设计包括以下几方面2015/6/27 19:00:11 2015/6/27 19:00:11
- 1)核辐射、FBMH1608HM600-T电磁辐射对电阻器、电位器的电性能有一定影响，甚至导致电阻器、电位器的失效，所以在有辐射的环境条件下使用时，产品应进行抗辐射可靠性设计。2)...[全文]
- 片状电阻器（RL型）2015/6/26 20:15:19 2015/6/26 20:15:19
- 片状电阻器又称贴片电阻、SMD(SurfaceMountedDevice)电阻，如图5.2所示，是在MC68HC908QY4CPE高纯陶瓷（氧化铝）基板上采用丝网印刷金属化玻璃层的方法制成的，通...[全文]
- 排电阻器（排阻B-YW型）2015/6/26 20:13:40 2015/6/26 20:13:40
- 排电阻器(Line>的电阻器件。MC68HC908QY4CDTE它综合应用掩膜、光刻、烧结等工艺技术，在一块陶瓷基片上丝网印刷形成电极和电阻并印制玻璃保护层，制成多个参数和性能一致的电阻，连接成...[全文]
- 实心碳质电阻器2015/6/26 20:09:15 2015/6/26 20:09:15
- 实心碳质电阻器：无机实心电阻器（RS型）和有机实心电阻器（RN型）合成实心电阻器是将导电材料与非导电材料按一定比例混合成不同电阻率的材料后制成的。MC68HC11A1CFN3R2其...[全文]
- 半导体器件失效分析基本程序2015/6/26 20:02:05 2015/6/26 20:02:05
- 现场使用失效的样品的MC68360ZQ25VL失效分析基本项目与内容，如表4.3所示。表4.3失效分析基本程序表习题1．讨论电子元器件的失...[全文]
- 现在多数元器件采用塑料封装2015/6/26 19:44:42 2015/6/26 19:44:42
- 现在多数元器件采用塑料封装，目前MC68360CVR25L采用三种方法：一是切割、研磨或使用风动牙钻等机械方法去除塑料层；二是利用化学有机溶剂（丙酮、二甲基甲酰啶）或热浓酸等溶解，剥离塑封料。但...[全文]
- 防止腐蚀和性能退化的改进措施2015/6/25 21:42:50 2015/6/25 21:42:50
- 1)改用低吸湿性树脂，提高树脂纯度，减少其中所含Na+、Cl等有害杂质。2)降低树脂的热膨胀系数，HD49714NT添加耦合剂，改变引线框架形状，以改善材料间黏合强度，防止引线框与...[全文]
- 核电磁脉冲损伤 2015/6/25 21:30:41 2015/6/25 21:30:41
- 核武器爆炸时产生的核电磁脉冲，在电子系统的输入电缆或天线回路中产生感应电流，HD10134电流流入系统内部，产生瞬时干扰和永久损伤。感应电流对数字电路损伤较大，能改变其逻辑状态，发生二次击穿而烧...[全文]
- CMOS电路的闩锁效应2015/6/25 21:05:34 2015/6/25 21:05:34
- 闩锁效应是指CMOS电路中寄生的固有可控硅结构被外界因素触发寻通，HCPL-7800A在电源和地之间形成低阻通路现象，一旦电流流通，电源电压不降至临界值以下，导通就无法终止，引起器件的烧毁，构成...[全文]
- 改善器件可靠性的措施包括以下几方面2015/6/24 19:30:19 2015/6/24 19:30:19
- 防止二次击穿，改善器LC78820M件可靠性的措施包括以下几方面。·设计方面在发射极和集电极条上串接镇流电阻，提高功率管二次击穿耐量。对微波功率管也可利用键合引线的电...[全文]
- 二次击穿2015/6/24 19:29:12 2015/6/24 19:29:12
- 二次击穿(SB)现象不仅在双极功率管中存在，而且在点接触二极管、CMOS集成电路中也存在。LC78816MC-TE-L当器件被偏置在某一特殊工作点(平面上USB、ISB处)时，电压突然降落，电流...[全文]
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