防止二次击穿，改善器LC78820M件可靠性的措施包括以下几方面。

   ·设计方面

   在发射极和集电极条上串接镇流电阻，提高功率管二次击穿耐量。对微波功率管也可利用键合引线的电感和氧化物电容组成的网络，选择适当的匹配参数实现功率的自动调整。

   ·工艺方面

   发生二次击穿的部位常是存在工艺缺陷的地方，如管芯与底座间烧结层的空洞，发射极键合点压偏使镇流电阻短路，硅铝合金常使基区厚度不均匀等。这些缺陷使电流集中，热阻增大，局部发热过甚，导致PN结烧毁，所以要有针对性地加强工艺控制，确保工艺质量。

   ·使用方面

   使用时根据手册使其工作在安全工作区内，在此区域内不会引起二次击穿或特性的缓慢退化。

   二次击穿是器件内部的现象，其击穿机理及有关安全工作区等情况可参见有关教科书。

   闩锁效应是指CMOS电路中寄生的固有可控硅结构被外界因素触发寻通，在电源和地之间形成低阻通路现象，一旦电流流通，电源电压不降至临界值以下，导通就无法终止，引起器件的烧毁，构成CMOS电路一个主要的可靠性问题。随着集成度的提高，尺缩 小，掺杂浓度提高，寄生管的hFE变大，更易引起闩锁效应。