半导体器件失效分析基本程序
发布时间:2015/6/26 20:02:05 访问次数:623
现场使用失效的样品的MC68360ZQ25VL失效分析基本项目与内容，如表4.3所示。
表4.3失效分析基本程序表
习题
1．讨论电子元器件的失效物理模型有哪些？
2．讨论在二氧化硅的界面会有什么样的污染，对器件的可靠性影响如何？
3．什么是热载流子效应？试讨论电荷泵测试的工作原理。
4．什么是电迁移失效？讨论如何避免电子元器件的此种失效。
5．辐射损伤的来源有哪些？如何提高元器件的抗辐射能力？
6．简述通常的失效分析程序及常用的设备。
现场使用失效的样品的MC68360ZQ25VL失效分析基本项目与内容，如表4.3所示。
表4.3失效分析基本程序表
习题
1．讨论电子元器件的失效物理模型有哪些？
2．讨论在二氧化硅的界面会有什么样的污染，对器件的可靠性影响如何？
3．什么是热载流子效应？试讨论电荷泵测试的工作原理。
4．什么是电迁移失效？讨论如何避免电子元器件的此种失效。
5．辐射损伤的来源有哪些？如何提高元器件的抗辐射能力？
6．简述通常的失效分析程序及常用的设备。
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